快速热处理对应变InGaAs/GaAs单量子阱激光二极管电子发射和DX中心的影响
| Data(s) |
2002
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|---|---|
| Resumo |
研究分子束外延（MBE）生长的应变In_(0.2)Ga_(0.8)As/GaAs折射率梯度变化异质结单量子阱激光二极管的快速热处理（RTA）效应。结果表明，RTA移除了InCaAs/GaAs界面非辐射中心，提高77K光致发光效率和有源层电子发射。同时Al和Ga原子互扩散，也增加了AlGaAs波导层DX中心浓度。RTA处理后样品电流冲击老化实验证明DX中心浓度呈现出相应的增加。这表明DX中心可能是激光二极管性能退化的原因之一。 研究分子束外延（MBE）生长的应变In_(0.2)Ga_(0.8)As/GaAs折射率梯度变化异质结单量子阱激光二极管的快速热处理（RTA）效应。结果表明，RTA移除了InCaAs/GaAs界面非辐射中心，提高77K光致发光效率和有源层电子发射。同时Al和Ga原子互扩散，也增加了AlGaAs波导层DX中心浓度。RTA处理后样品电流冲击老化实验证明DX中心浓度呈现出相应的增加。这表明DX中心可能是激光二极管性能退化的原因之一。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:07:41导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:07:41Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4992.pdf: 365346 bytes, checksum: 4c60c2bd9ab6a5a32eed3cba9c70401e (MD5) Previous issue date: 2002 国家自然科学基金（批准号：6 76 8）,国家重点基础研究发展项目（批准号：G2 683）,香港科技大学HKUST6135/97P资助的课题 中国科学院半导体研究所;中国科学院半导体研究所光电子工程中心;香港科技大学物理系 国家自然科学基金（批准号：6 76 8）,国家重点基础研究发展项目（批准号：G2 683）,香港科技大学HKUST6135/97P资助的课题 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
卢励吾;张砚华;徐遵图;徐仲英;王占国;Wang J;Ge Weikun.快速热处理对应变InGaAs/GaAs单量子阱激光二极管电子发射和DX中心的影响,物理学报,2002,51(2):367-371 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
