铁磁／半导体异质结材料MnSb／Si的物理气相沉积生长
| Data(s) |
2003
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|---|---|
| Resumo |
采用一种新的生长铁磁／半导体异质结材料的方法——物理气相沉积方法生长了一种铁磁／半导体异质结材料MnSb／Si．对所获得的样品进行特征X射线能谱分析表明Mn和Sb在Si衬底上的沉积速率相近，它们的原子百分数之比接近1 采用一种新的生长铁磁／半导体异质结材料的方法——物理气相沉积方法生长了一种铁磁／半导体异质结材料MnSb／Si．对所获得的样品进行特征X射线能谱分析表明Mn和Sb在Si衬底上的沉积速率相近，它们的原子百分数之比接近1 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:07:39导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:07:39Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4987.pdf: 324042 bytes, checksum: facc5bca2c88b5bae80771b17e1d4ae3 (MD5) Previous issue date: 2003 中国科学院半导体研究所 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
彭长涛;陈诺夫;张富强;林兰英.铁磁／半导体异质结材料MnSb／Si的物理气相沉积生长,半导体学报,2003,24(5):494-498 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
