6H—SiC Schottky二极管的正向特性
| Data(s) |
2003
|
|---|---|
| Resumo |
提出了一种考虑Schottky结势垒不均匀性和界面层作用的SiC Schottky二极管(SBD)正向特性模型，势垒的不均匀性来自于SiC外延层上的各种缺陷，而界面层上的压降会使正向Schottky结的有效势垒增高．该模型能够对不同温度下SiC Schottky结正向特性很好地进行模拟，模拟结果和测量数据相符．它更适用于考虑器件温度变化的场合，从机理上说明了理想因子、有效势垒和温度的关系． |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
尚也淳;刘忠立;王姝睿.6H—SiC Schottky二极管的正向特性,半导体学报,2003,24(5):504-509 |
| Palavras-Chave | #半导体器件 |
| Tipo |
期刊论文 |
