掺杂nc-Si:H薄膜中纳米硅晶粒的择优生长

发现PECVD生长的系列掺杂氢化纳米硅（nc-Si:H）薄膜中纳米硅晶粒（nc-Si）有择优生长的趋势。用Raman、XRD、AFM、HRTEM等方法研究其微观结构时发现：掺磷的nc-Si:H薄膜XRD峰位的二倍衍射角约为33~°。掺硼nc-Si:H薄膜的XRD峰位的二倍衍射角约为47~°。用自由能密度与序参量的关系结合实验参数分析得到：较高的衬底温度引起序参量改变，使掺磷nc-Si:H薄膜中nc-Si的晶面择优生长。适当的电场作用引起序参量改变，导致掺硼nc-Si:H薄膜在一定的身由能密度范围内nc-Si的晶面择优生长。

发现PECVD生长的系列掺杂氢化纳米硅（nc-Si:H）薄膜中纳米硅晶粒（nc-Si）有择优生长的趋势。用Raman、XRD、AFM、HRTEM等方法研究其微观结构时发现：掺磷的nc-Si:H薄膜XRD峰位的二倍衍射角约为33~°。掺硼nc-Si:H薄膜的XRD峰位的二倍衍射角约为47~°。用自由能密度与序参量的关系结合实验参数分析得到：较高的衬底温度引起序参量改变，使掺磷nc-Si:H薄膜中nc-Si的晶面择优生长。适当的电场作用引起序参量改变，导致掺硼nc-Si:H薄膜在一定的身由能密度范围内nc-Si的晶面择优生长。

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zhangdi于2010-11-23 13:07:36导入数据到SEMI-IR的IR

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863计划资助项目,高校博士点基金资助项目（2 22 6 37）

北京航空航天大学理学院;北京航空航天大学宇航学院;中国科学院半导体研究所

863计划资助项目,高校博士点基金资助项目（2 22 6 37）