自组织生长InAs量子点的发光性质研究
| Data(s) |
2003
|
|---|---|
| Resumo |
通过对加InGaAs自组织生长量子点的变温光致发光谱以及时间分辨谱的研究，发现低温下量子点的发光强度和光生载流子的寿命不变；中间温度区载流子寿命随温度升高而变大；更高温度时，发光强度和载流子寿命均随温度升高而快速下降。 通过对加InGaAs自组织生长量子点的变温光致发光谱以及时间分辨谱的研究，发现低温下量子点的发光强度和光生载流子的寿命不变；中间温度区载流子寿命随温度升高而变大；更高温度时，发光强度和载流子寿命均随温度升高而快速下降。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:07:35导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:07:35Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4978.pdf: 192538 bytes, checksum: 4f3ecb9ff5c0728c0cee7cba1587dd0c (MD5) Previous issue date: 2003 福建省自然科学重点基金（A992 1） 厦门大学物理学系;中科院半导体所 福建省自然科学重点基金（A992 1） |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
蔡加法;孔令民;吴正云;陈主荣;牛智川.自组织生长InAs量子点的发光性质研究,厦门大学学报. 自然科学版,2003,42(6):732-735 |
| Palavras-Chave | #半导体物理 |
| Tipo |
期刊论文 |
