近空间升华沉积CdTe薄膜的微结构和PL谱
| Data(s) |
2003
|
|---|---|
| Resumo |
用近空间华法在CdS薄膜上沉积了CdTe薄膜。研究了在两种保护气氛下所沉积的多晶CdTe薄膜在后处理后的微结构、表面形貌及光致发光(PL)谱，并研究了CdTe表面的CdS/CdTe界面的P谱的区别，根据薄膜的微结构对碲化镉在太阳电池中的应用进行了讨论。 用近空间华法在CdS薄膜上沉积了CdTe薄膜。研究了在两种保护气氛下所沉积的多晶CdTe薄膜在后处理后的微结构、表面形貌及光致发光(PL)谱，并研究了CdTe表面的CdS/CdTe界面的P谱的区别，根据薄膜的微结构对碲化镉在太阳电池中的应用进行了讨论。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:07:28导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:07:28Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4954.pdf: 296247 bytes, checksum: 0a9344047f8ed11592e1f4b1841ea235 (MD5) Previous issue date: 2003 国家高技术研究与发展计划（编号：2 1AA513 1 ）,国家重点基础研究发展规划（编号：G2 282 8）资助项目 四川大学材料科学系;中国科学院半导体研究所 国家高技术研究与发展计划（编号：2 1AA513 1 ）,国家重点基础研究发展规划（编号：G2 282 8）资助项目 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
武莉莉;冯良桓;蔡伟;张静全;蔡亚平;郑家贵;朱居木;陈诺夫.近空间升华沉积CdTe薄膜的微结构和PL谱,半导体学报,2003,24(8):827-832 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
