多量子阱电吸收调制DFB激光器的一种新型LP-MOCVD对接生长方法

提出了一种提高多量子阱电吸收调制DFB-LD集成器件（EML）耦合效率的对接生长方法。采用LP-MOCVD外延方法，制作了对接方法不同的三种样片，通过扫描电镜研究它们的表面及对接界面形貌，发现新对接结构的样片具有更好的对接界面。制作出相应的三种EML管芯，从测量所得到的出光功率特性曲线，计算出不同对接方法下EML管芯的耦合效率和外量子效率。实验结果表明，这种对接生长方案，可以获得光滑的对界面，显著提高了激光器和调制器之间的耦合效率（从常规的17%提高到78％）及EML器件的外量子效率（从0.03mW/mA提高到0.15mW/mA)。

国家高技术研究发展计划(No.2 1AA312 5 ),国家重点基础研究发展规划(No. G2 683 1)资助项目