二元高－k材料研究进展及制备
| Data(s) |
2002
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|---|---|
| Resumo |
随着大规模集成电路的发展，需要一种高介质材料来代替传统的SiO2,介绍了可能替代SiO2的几种二元材料的研究现状，主要包括Si3N4,Ta2O5,TiO2,ZrO2,Y2O3,Gd2O3和CeO2几种材料的结构和电学性能，以及制备薄膜的几种方法；蒸发法，化学气相沉积和离子束沉积。 国家973基金资助项目（G2 365 5） |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
周剑平;柴春林;杨少延;刘志凯;张志成;陈诺夫;林兰英.二元高－k材料研究进展及制备,功能材料,2002,33(5):462-464 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
