确定VCSEL电热势及载流子自洽分布算法的研究
| Data(s) |
2003
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|---|---|
| Resumo |
分别使用准Fermi能级和pn结模型决定VCSEL的有源层压降，建立了两种自洽确定VCSEL中电势及载流子分布的方法，针对电极电压变化笔氧化层限制孔径变化的两种情况，在阈值附近对器件中的结电压分布、载流子浓度分布和注入有源层电流密度分布进行了计算；针对两者所得结果的差异进行了简要的分析，指出了二者的特点及适用范围。 国家自然科学基金资助项目(批准号 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
赵鼎;林世鸣.确定VCSEL电热势及载流子自洽分布算法的研究,半导体学报,2003,24(10):1093-1098 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
