低束流钕离子注入外延硅薄层的结构研究
| Data(s) |
2003
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|---|---|
| Resumo |
采用金属蒸气真空弧（MEVVA）离子源以低束流方式将Nd离子注入到外延硅片中，经高温快速退火处理，制备了结晶良好的钕硅掺杂层。用扫描电子显微镜（SEM）、反射式高能电子衍射（RHEED）和X射线衍射（XRD）分析了在不同退火条件下样品注入层相结构的变化。研究结果表明，经高温热处理，注入层形成结晶良好的钕硅化合物，出现由Nd_5Si_4相向NdSi相转变的趋势。并对其转变过程进行了初步探讨。 国家自然科学基金（69766 1）资助 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
曾宇昕;程国安;王水凤;肖志松.低束流钕离子注入外延硅薄层的结构研究,核技术,2003,26(11):823-826 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
