紧缩型SOI多模干涉光开关的设计
| Data(s) |
2003
|
|---|---|
| Resumo |
提出了一种新的紧缩型SOI多模干涉（MMI）光开关。开关由单模输入输出波导和MMI耦合器组成。通过在多模波导区域引入调制区，利用Si的等离子色散效应（PDE）改变调制区的折射率来实现开关动作。用FD-BPM方法对开关的工作原理和性能进行了模拟与分析。结果表明，光开尖良好的综合性能，而整个开关的长度只有7mm。 国家自然科学基金资助项目（6989626 ，6999 54 ）,国家“973”资助项目（G2 366） |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
王章涛;余金中.紧缩型SOI多模干涉光开关的设计,光电子·激光,2003,14(9):897-900 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
