GaN外延膜厚度的x射线双晶衍射测量
| Data(s) |
2003
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|---|---|
| Resumo |
提出了一种利用x射线双晶衍射测量GaN厚度的新方法．该方法采用GaN积分强度和衬底积分强度的比值与样品厚度的关系来测量GaN外延膜厚度，此比值与GaN样品厚度在t＜2μm为线性关系．该方法消除了因GaN吸收造成的影响，比单纯用GaN积分强度与样品厚度的关系推算GaN外延膜厚度精度更高，更方便可靠． 国家自然科学基金（批准号：698251 7）,国家杰出青年基金（批准号：5 1161953）,NSFC-RGC联合基金（批准号：N_HUK 28/ ）资助项目 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
冯淦;朱建军;沈晓明;张宝顺;赵德刚;王玉田;杨辉;梁骏吾.GaN外延膜厚度的x射线双晶衍射测量,中国科学. G辑，物理,2003,33(2):122-125 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
