GaN的声表面波特性研究
| Data(s) |
2003
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|---|---|
| Resumo |
采用金属有机物化学气相外延方法在(0001)面蓝宝石上生长了高质量、高阻的未掺杂(0001)面GaN薄膜。为精确测量GaN薄膜材料的声表面波特性，在GaN薄膜表面上沉积了金属叉指换能器，叉指换能器采用等叉指结构，叉指的数目为40对，叉指间距为15μm。采用脉冲法测量了声表面波在自由表面和金属表面上的速度，并通过计算得到了机电耦合系数(κ^2)。所测量的声表面波速度（ν)为5667m／s，机电耦合系数(κ^2)为1．9％。 国家自然科学基金(6 86 1;699 6 2),国家重大基础研究项目(G2 683) |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
严莉;陈晓阳;何世堂;李红浪;韩培德;陈振;陆大成;刘祥林;王晓晖;李昱峰;袁海荣;陆沅;黎大兵;朱勤生;王占国.GaN的声表面波特性研究,发光学报,2003,24(2):161-164 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
