Pt/n-GaN肖特基接触的退火行为
| Data(s) |
2003
|
|---|---|
| Resumo |
在金属有机物气相外延（MOVPE）方法生长的非故意掺杂的n-GaN上用Pt制成了肖特基接触，并在250-650℃范围内对该接触进行退火。通过实验发现，Pt与非故意掺杂n-GaN外延薄膜可以形成较好的肖特基接触，而适当的退火温度可以有效地改善Pt/n-GaN肖特基接触的性质。在该实验条件下，400℃温度下退火后的Pt/n-GaN肖特基接触，势垒高度最大，理想因子最小。在600℃以上温度退火后，该接触特性受到破坏，SEM显示在该温度下，Pt已经在GaN表面凝聚成球，表面形成孔洞。 在金属有机物气相外延（MOVPE）方法生长的非故意掺杂的n-GaN上用Pt制成了肖特基接触，并在250-650℃范围内对该接触进行退火。通过实验发现，Pt与非故意掺杂n-GaN外延薄膜可以形成较好的肖特基接触，而适当的退火温度可以有效地改善Pt/n-GaN肖特基接触的性质。在该实验条件下，400℃温度下退火后的Pt/n-GaN肖特基接触，势垒高度最大，理想因子最小。在600℃以上温度退火后，该接触特性受到破坏，SEM显示在该温度下，Pt已经在GaN表面凝聚成球，表面形成孔洞。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:07:12导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:07:12Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4885.pdf: 241291 bytes, checksum: e0a0dbb6c7ecdd7d9ca06f1d2ef7c060 (MD5) Previous issue date: 2003 国家自然科学基金（批准号：698251 7）,NSFC-RGC联合基金（批准号：5 1161953，N_HKU 28/ ）资助项目 中国科学院半导体研究所 国家自然科学基金（批准号：698251 7）,NSFC-RGC联合基金（批准号：5 1161953，N_HKU 28/ ）资助项目 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
张泽洪;孙元平;赵德刚;段俐宏;王俊;沈晓明;冯淦;冯志宏;杨辉.Pt/n-GaN肖特基接触的退火行为,半导体学报,2003,24(3):279-283 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
