表面应力诱导InGan量子点的生长及其性质
| Data(s) |
2003
|
|---|---|
| Resumo |
为了得到高性能的GaN基发光器件，有源层采用MOCVD技术和表面应力的不均匀性诱导方法在生长了InGaN量子点，并通过原子力显微镜（AFM），透射电子显微镜（TEM）和光致发光（PL）谱对其微观形貌和光学性质进行了观察和研究，AFM和TEM观察结果表明 为了得到高性能的GaN基发光器件，有源层采用MOCVD技术和表面应力的不均匀性诱导方法在生长了InGaN量子点，并通过原子力显微镜（AFM），透射电子显微镜（TEM）和光致发光（PL）谱对其微观形貌和光学性质进行了观察和研究，AFM和TEM观察结果表明 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:07:09导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:07:09Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4877.pdf: 329407 bytes, checksum: 1ddc796ca39b890de0e4092743be888e (MD5) Previous issue date: 2003 国家自然科学基金（批准号 中国科学院半导体研究所 国家自然科学基金（批准号 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
李昱峰;韩培德;陈振;黎大兵;王占国.表面应力诱导InGan量子点的生长及其性质,半导体学报,2003,24(1):39-43 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
