SOI电光开关中热光效应分析
| Data(s) |
2003
|
|---|---|
| Resumo |
分析了SOI（silicon-on-insulator）2×2电光开关工作时热光效应对等离子色散效应的影响。采用二维半导器件模拟器PISCES－Ⅱ对器件进行模块。结果表明，热光效应对等离子色散效应的影响与调制区长度密切相关，当调制区长度较短时，热光效应的影响不容忽视；当调制区长度大于500μm时，这种影响可以忽略不计 分析了SOI（silicon-on-insulator）2×2电光开关工作时热光效应对等离子色散效应的影响。采用二维半导器件模拟器PISCES－Ⅱ对器件进行模块。结果表明，热光效应对等离子色散效应的影响与调制区长度密切相关，当调制区长度较短时，热光效应的影响不容忽视；当调制区长度大于500μm时，这种影响可以忽略不计 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:07:09导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:07:09Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4876.pdf: 332030 bytes, checksum: fedeb1192c8bc9e4ea46be6af3ffd0ed (MD5) Previous issue date: 2003 国家自然科学重大基金资助项目（6999 54 6989626 ）,国家“九七三“资助项目（G2 366） 中国科学院半导体研究所 国家自然科学重大基金资助项目（6999 54 6989626 ）,国家“九七三“资助项目（G2 366） |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
严清峰;余金中.SOI电光开关中热光效应分析,光电子·激光,2003,14(1):1-4 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
