GaN基MSM结构紫外光探测器
| Data(s) |
2003
|
|---|---|
| Resumo |
在蓝宝石(0001)衬底上采用低压金属有机物公学气相沉积(MOCVD)方法生长GaN外延层，以此为材料，制作了暗电流很小的金属半导体金属（MSM）结紫外光探测器，测量了该紫外光探测器的暗电流和360nm波长光照下的光电流曲线，光响应曲线和响应度随偏压变化的曲线，该紫外光线探测器在5V偏压时暗电流为1.03nA,在10V 偏压时暗电流为15.3nA，在15V偏压下该紫外光探测器在366nm 波长处的响应度达到0.166A/W,在365nm波长左右有陡峭的截止边.从0-15V,该紫外光探测器在360nm波长处的响应度随着偏压的增加而增大.详细地分析了该紫外光探测器的暗电流,光电流,响应度随偏压变化的关系. 在蓝宝石(0001)衬底上采用低压金属有机物公学气相沉积(MOCVD)方法生长GaN外延层，以此为材料，制作了暗电流很小的金属半导体金属（MSM）结紫外光探测器，测量了该紫外光探测器的暗电流和360nm波长光照下的光电流曲线，光响应曲线和响应度随偏压变化的曲线，该紫外光线探测器在5V偏压时暗电流为1.03nA,在10V 偏压时暗电流为15.3nA，在15V偏压下该紫外光探测器在366nm 波长处的响应度达到0.166A/W,在365nm波长左右有陡峭的截止边.从0-15V,该紫外光探测器在360nm波长处的响应度随着偏压的增加而增大.详细地分析了该紫外光探测器的暗电流,光电流,响应度随偏压变化的关系. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:07:03导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:07:03Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4874.pdf: 458980 bytes, checksum: 491bdac59672dc324557e17d0e641c82 (MD5) Previous issue date: 2003 国家“八六三”计划基金资助项目 中国科学院半导体研究所 国家“八六三”计划基金资助项目 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
王俊;赵德刚;刘宗顺;冯淦;朱建军;沈晓民;张宝顺;杨辉.GaN基MSM结构紫外光探测器,中国科学. G辑， 物理,2003,33(1):34-38 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
