GSMBE生长SiGe/Si材料的原位掺杂控制技术
| Data(s) |
2003
|
|---|---|
| Resumo |
在特定温控下对掺杂气体分子的状态和活性进行控制，建立了一套具有自主知识产权的气源分子束外延工艺生长SiGe/Si材料的原位掺杂控制技术。采用该技术生长的SiGe/Si HBT外延材料，可将硼杂质较好地限制在SiGe合金基区内，并能有效地提高磷烷对N型掺杂的浓度和外延硅层的生长速率，获得了理想N,P型杂质分布的SiGe/Si HBT外延材料。 在特定温控下对掺杂气体分子的状态和活性进行控制，建立了一套具有自主知识产权的气源分子束外延工艺生长SiGe/Si材料的原位掺杂控制技术。采用该技术生长的SiGe/Si HBT外延材料，可将硼杂质较好地限制在SiGe合金基区内，并能有效地提高磷烷对N型掺杂的浓度和外延硅层的生长速率，获得了理想N,P型杂质分布的SiGe/Si HBT外延材料。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:07:01导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:07:01Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4869.pdf: 302102 bytes, checksum: fb406aba102cea4f798dd059a3944343 (MD5) Previous issue date: 2003 中科院半导体所材料科学中心 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
黄大定;刘超;李建平;高斐;孙殿照;朱世荣;孔梅影.GSMBE生长SiGe/Si材料的原位掺杂控制技术,固体电子学研究与进展,2003,23(2):142-144 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
