MTJ MRAM的特性分析与设计

对MTJ (磁隧道结）的GMR（巨磁阻）效应进行了分析。MTJ的结构、形态和工作条件会对GMR效应产生不同的影响。提出了一种4×1位MTJ MRAM（磁存储器）的电路结构，每个MRAM的存储单元由一个MTJ和一个MOSFET构成，用MTJ两磁极磁化方向的相对取向表示所存储的数据，数字线和位线电流产生磁场的共同作用可完成MRAM数据的写入。