掺硼nc-Si:H薄膜中纳米硅晶粒的择优生长
| Data(s) |
2003
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| Resumo |
利用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）生长的系列掺硼氢化纳米硅（nc-Si:H）薄膜中纳米硅晶粒（nanocrystalline silicon，简称nc-Si)有择优生长的趋势。用HRTEM、XRD、Ramam等方法研究掺硼nc-Si:H薄膜的微观结构时发现：掺硼nc-Si:H薄膜的XRD只有一个峰，峰位在2θ≈47°，晶面指数为（220），属于金刚石结构。用自由能密度与序参量的关系结合实验参数分析掺硼nc-Si:H薄膜择优生长的原因是：适当的电场作用引起序参量改变，导致薄膜在适当的自由能范围内nc-Si的晶面择优生长。随着掺硼浓度的增加，nc-Si:H薄膜的晶态率降低并逐步非晶化。nc-Si随射频功率密度的增大而长大，但晶态率降低。nc-Si随衬底温度升高而长大，晶态率提高。nc-Si随射频功率密度的增大而长大，晶态率增大的趋势平缓。但未发现掺硼浓度、稀释比、衬底温度、射频功率密度的变化引起薄膜中nc-Si晶面的择优生长。 国家自然科学基金资助课题（No.59982 2）,教育部博士点基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
韦文生;王天民;张春熹;李国华;韩和香;丁琨.掺硼nc-Si:H薄膜中纳米硅晶粒的择优生长,功能材料与器件学报,2003,9(1):25-30 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
