Si被注入Gd后的磁性及其整流特性的研究
| Data(s) |
2003
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|---|---|
| Resumo |
采用离子束技术,在n型硅基片中注入稀土元素钆,制备了磁性-非磁性p-n结.磁性层Gd_xSi_(1-x)表现出优良的磁学性能,高居里温度,高原子磁矩(利用RKKY模型可以得到解释),低矫顽力,并保持着半导体的属性,磁性-非磁性p-n结具有整流特性,但没有观察到明显的磁电阻效应. 国家重点基础研究发展项目 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
周剑平;陈诺夫;宋书林;柴春林;杨少延;刘志凯;林兰英.Si被注入Gd后的磁性及其整流特性的研究,物理学报,2003,52(6):1469-1473 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
