SiC Schottky结反向特性的研究
| Data(s) |
2003
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|---|---|
| Resumo |
对Ti/6H-SiC Schottky结的反向特性进行了测试和理论分析,提出了一种综合的包括SiC Schottky结主要反向漏电流产生机理的反向隧穿电流模型,该模型考虑了Schottky势垒不均匀性、Ti/SiC界面层电压降和镜像力对SiC Schottky结反向特性的影响,模拟结果和测量值的相符说明了以上所考虑因素是引起SiC Schottky结反向漏电流高于常规计算值的主要原因.分析结果表明在一般工作条件下SiC Schottky结的反向特性主要是由场发射和热电子场发射电流决定的. |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
尚也淳;刘忠立;王姝睿.SiC Schottky结反向特性的研究,物理学报,2003,52(1):211-216 |
| Palavras-Chave | #微电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
