具有InAlAs浸润层的InGaAs量子点的制备和特性研究
| Data(s) |
2003
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|---|---|
| Resumo |
采用自组装方法生长了一种新型的InGaAs量子点/InAlAs浸润层结构.通过选取合适的In组分,使InAlAs浸润层的能级与GaAs势垒相当,从而使浸润层的量子阱特征消失.通过低温光致发光(PL)谱的测试分析得到InGaAs量子点/InAlAs浸润层在样品中的确切位置.变温PL谱的研究显示,具有这种结构的量子点发光峰的半高全宽随温度上升出现展宽,这明显区别于普通InGaAs量子点半高全宽变窄的行为.这是因为采用了InAlAs浸润层后,不仅增强了对InGaAs量子点的限制作用,同时切断了载流子的转移通道,使得量子点更加孤立后表现出来的性质. 采用自组装方法生长了一种新型的InGaAs量子点/InAlAs浸润层结构.通过选取合适的In组分,使InAlAs浸润层的能级与GaAs势垒相当,从而使浸润层的量子阱特征消失.通过低温光致发光(PL)谱的测试分析得到InGaAs量子点/InAlAs浸润层在样品中的确切位置.变温PL谱的研究显示,具有这种结构的量子点发光峰的半高全宽随温度上升出现展宽,这明显区别于普通InGaAs量子点半高全宽变窄的行为.这是因为采用了InAlAs浸润层后,不仅增强了对InGaAs量子点的限制作用,同时切断了载流子的转移通道,使得量子点更加孤立后表现出来的性质. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:06:45导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:06:45Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4807.pdf: 379384 bytes, checksum: 592b822a0b9bf8265b6fde11b0d90e8b (MD5) Previous issue date: 2003 中国科学院半导体研究所 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
朱天伟;张元常;徐波;刘峰奇;王占国.具有InAlAs浸润层的InGaAs量子点的制备和特性研究,物理学报,2003,52(8):2087-2091 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
