离子束外延生长(Ga,Mn,As)的退火研究
| Data(s) |
2003
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| Resumo |
利用俄歇电子能谱(AES)和X射线衍射(XRD)分析了室温条件下离子束外延生长Ga、Mn、As样品,在不同的温度条件下进行退火后组分和元素分布的变化.结果表明退火有助于样品内部元素的均匀分布,温度为400 ℃会导致MnO2和Ga5.2Mn的结晶. 国家自然科学基金,国家重大基础研究计划 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
宋书林;陈诺夫;周剑平;柴春林;杨少延;刘志凯.离子束外延生长(Ga,Mn,As)的退火研究,真空科学与技术学报,2003,23(5):350-352 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
