掺铒GaN薄膜的背散射/沟道分析和光致发光研究
| Data(s) |
2003
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|---|---|
| Resumo |
采用背散射(RBS)/沟道(channeling)分析和傅里叶变换红外光谱(FT-IR)研究了掺铒GaN薄膜的晶体结构和光致发光(PL)特性.背散射/沟道分析结果表明:随退火温度的升高,薄膜中辐照损伤减少;但当退火温度达到1000℃,薄膜中的缺陷又明显增加.Er浓度随注入深度呈现高斯分布.通过沿GaN的<0001>轴方向的沟道分析,对于900℃,30min退火的GaN:Er样品,Er在晶格中的替位率约76%.光谱研究表明:随退火温度的升高,室温下样品的红外PL峰强度增加;但是当退火温度达到1000℃,样品的PL峰强度明显下降;测量温度从15K变化到300K时,样品(900℃,30min退火的GaN:Er)的1540nm处PL温度猝灭为30%. 国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
宋淑芳;周生强;陈维德;朱建军;陈长勇;许振嘉.掺铒GaN薄膜的背散射/沟道分析和光致发光研究,物理学报,2003,52(10):2558-2562 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
