变In组分沟道的MM-HEMT材料电子输运特性研究
| Data(s) |
2003
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|---|---|
| Resumo |
在变缓冲层高迁移率晶体管(MM-HEMT)器件中,二维电子气的输运性质对器件性能起着决定作用.通过低温下二维电子气横向电阻的量子振荡现象,结合变温度的Hall测量,系统研究了不同In组分沟道MM-HEMT器件中子带电子迁移率和浓度随温度的变化关系.结果表明,沟道中In组分为0.65的样品,材料电学性能最好,In组分高于0.65的样品,严重的晶格失配将产生位错,引起迁移率下降,大大影响材料和器件的性能. 在变缓冲层高迁移率晶体管(MM-HEMT)器件中,二维电子气的输运性质对器件性能起着决定作用.通过低温下二维电子气横向电阻的量子振荡现象,结合变温度的Hall测量,系统研究了不同In组分沟道MM-HEMT器件中子带电子迁移率和浓度随温度的变化关系.结果表明,沟道中In组分为0.65的样品,材料电学性能最好,In组分高于0.65的样品,严重的晶格失配将产生位错,引起迁移率下降,大大影响材料和器件的性能. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:06:43导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:06:43Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4801.pdf: 416117 bytes, checksum: e302b7ae98af7a3f062cddcd5e4ad5d8 (MD5) Previous issue date: 2003 国家重点基础研究发展规划项目 中国科学院上海技术物理研究所;中国科学院半导体研究所 国家重点基础研究发展规划项目 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
仇志军;蒋春萍;桂永胜;疏小舟;郭少令;褚君浩;崔利杰;曾一平;朱战平;王保强.变In组分沟道的MM-HEMT材料电子输运特性研究,物理学报,2003,52(11):2879-2882 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
