钨丝掩模二次倾斜离子注入850 nm室温连续垂直腔面发射激光器
| Data(s) |
2004
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|---|---|
| Resumo |
采用钨丝做掩模,进行倾斜的离子注入优化电流限制区,制作出室温连续的垂直腔面发射激光器件.该器件的最低阈值电流为1.4 mA,串联电阻约207 Ω, 输出光功率超过1 mW. 国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
王海嵩;杜国同;崔宏峰;许呈栋;宋俊峰;杜云;陈弘达;吴荣汉.钨丝掩模二次倾斜离子注入850 nm室温连续垂直腔面发射激光器,中国激光,2004,31(2):129-132 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
