表面态型半导体可饱和吸收镜实现Nd:YAG激光器被动锁模
| Data(s) |
2004
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|---|---|
| Resumo |
砷化镓半导体材料与空气接触的表面存在密度很高的电子表面态,砷化镓材料内部的电子可以通过这种表面进行驰豫,驰豫时间估计在ps量级.依此原理,制作了一种新型的表面态型半导体可饱和吸收镜,用其作为被动锁模吸收体,实现了半导体端面泵浦Nd:YAG激光器被动连续锁模.在泵浦功率为4 W的情况下,获得了连续锁模脉冲序列,重复频率150 MHz,锁模脉冲平均输出功率为300 mW,脉冲宽度为10 ps. 砷化镓半导体材料与空气接触的表面存在密度很高的电子表面态,砷化镓材料内部的电子可以通过这种表面进行驰豫,驰豫时间估计在ps量级.依此原理,制作了一种新型的表面态型半导体可饱和吸收镜,用其作为被动锁模吸收体,实现了半导体端面泵浦Nd:YAG激光器被动连续锁模.在泵浦功率为4 W的情况下,获得了连续锁模脉冲序列,重复频率150 MHz,锁模脉冲平均输出功率为300 mW,脉冲宽度为10 ps. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:06:33导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:06:33Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4764.pdf: 285023 bytes, checksum: 7d47bba00ba54609adc49f7d6f3b8dc1 (MD5) Previous issue date: 2004 中国科学院半导体研究所;北京工业大学激光工程研究院 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
王勇刚;马骁宇;张丙元;陈檬;李港.表面态型半导体可饱和吸收镜实现Nd:YAG激光器被动锁模,光电子·激光,2004,15(4):446-448 |
| Palavras-Chave | #半导体器件 |
| Tipo |
期刊论文 |
