低能离子束制备(Ga,Gd,As)薄膜


Autoria(s): 宋书林; 陈诺夫; 周剑平; 李艳丽; 杨少延; 刘志凯
Data(s)

2004

Resumo

室温条件下,用离子束外延设备制备(Ga,Gd,As)样品,X射线衍射(XRD)结果表明除了GaAs衬底峰,没有发现其他新相的衍射峰.俄歇电子能谱(AES)分析了样品中元素随深度的变化,不同样品中元素的分布有着不同的特点.并运用原子力显微镜(AFM)研究了样品表面的形貌特点,表明样品表面的粗糙度与Gd注入过程中在样品表面沉积的多少有关.运用交变梯度磁强计(AGM)对薄膜进行磁性分析,结果表明有的样品在室温条件下出现铁磁性,但金属钆本身具有室温铁磁性,因而需要进一步分析.

室温条件下,用离子束外延设备制备(Ga,Gd,As)样品,X射线衍射(XRD)结果表明除了GaAs衬底峰,没有发现其他新相的衍射峰.俄歇电子能谱(AES)分析了样品中元素随深度的变化,不同样品中元素的分布有着不同的特点.并运用原子力显微镜(AFM)研究了样品表面的形貌特点,表明样品表面的粗糙度与Gd注入过程中在样品表面沉积的多少有关.运用交变梯度磁强计(AGM)对薄膜进行磁性分析,结果表明有的样品在室温条件下出现铁磁性,但金属钆本身具有室温铁磁性,因而需要进一步分析.

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国家自然科学基金,国家重大基础研究计划项目

中国科学院半导体所

国家自然科学基金,国家重大基础研究计划项目

Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17487

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/103381

Idioma(s)

中文

Fonte

宋书林;陈诺夫;周剑平;李艳丽;杨少延;刘志凯.低能离子束制备(Ga,Gd,As)薄膜,固体电子学研究与进展,2004,24(2):258-261

Palavras-Chave #半导体材料
Tipo

期刊论文