低能离子束制备(Ga,Gd,As)薄膜
Data(s) |
2004
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Resumo |
室温条件下,用离子束外延设备制备(Ga,Gd,As)样品,X射线衍射(XRD)结果表明除了GaAs衬底峰,没有发现其他新相的衍射峰.俄歇电子能谱(AES)分析了样品中元素随深度的变化,不同样品中元素的分布有着不同的特点.并运用原子力显微镜(AFM)研究了样品表面的形貌特点,表明样品表面的粗糙度与Gd注入过程中在样品表面沉积的多少有关.运用交变梯度磁强计(AGM)对薄膜进行磁性分析,结果表明有的样品在室温条件下出现铁磁性,但金属钆本身具有室温铁磁性,因而需要进一步分析. 室温条件下,用离子束外延设备制备(Ga,Gd,As)样品,X射线衍射(XRD)结果表明除了GaAs衬底峰,没有发现其他新相的衍射峰.俄歇电子能谱(AES)分析了样品中元素随深度的变化,不同样品中元素的分布有着不同的特点.并运用原子力显微镜(AFM)研究了样品表面的形貌特点,表明样品表面的粗糙度与Gd注入过程中在样品表面沉积的多少有关.运用交变梯度磁强计(AGM)对薄膜进行磁性分析,结果表明有的样品在室温条件下出现铁磁性,但金属钆本身具有室温铁磁性,因而需要进一步分析. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:06:32导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:06:32Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4760.pdf: 270489 bytes, checksum: c61b042fd6148b89cf705385274e13f5 (MD5) Previous issue date: 2004 国家自然科学基金,国家重大基础研究计划项目 中国科学院半导体所 国家自然科学基金,国家重大基础研究计划项目 |
Identificador | |
Idioma(s) |
中文 |
Fonte |
宋书林;陈诺夫;周剑平;李艳丽;杨少延;刘志凯.低能离子束制备(Ga,Gd,As)薄膜,固体电子学研究与进展,2004,24(2):258-261 |
Palavras-Chave | #半导体材料 |
Tipo |
期刊论文 |