快速热退火对GaInNAs/GaAs单量子阱反常温度特性研究
| Data(s) |
2004
|
|---|---|
| Resumo |
分析了MBE生长的GaInNAs／GaAs单量子阱样品的光致荧光谱(PL)，细致地研究了在弱激发功率下GaInNAs／GaAs样品的发光峰位的 s-型反常温度依赖关系。并对材料进行了退火处理，结果发现退火有效地改善材料的发光特性，并且会造成s-型的转变温度降低，从而说明退火可以有效地减少局域态。 分析了MBE生长的GaInNAs／GaAs单量子阱样品的光致荧光谱(PL)，细致地研究了在弱激发功率下GaInNAs／GaAs样品的发光峰位的 s-型反常温度依赖关系。并对材料进行了退火处理，结果发现退火有效地改善材料的发光特性，并且会造成s-型的转变温度降低，从而说明退火可以有效地减少局域态。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:06:28导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:06:28Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4747.pdf: 157551 bytes, checksum: 5b1ca09eade8ae37c58ac7ec0caac492 (MD5) Previous issue date: 2004 国家自然科学基金资助项目（6 276 3）,国家自然科学基金资助项目（6 276 3） 中国科学院半导体研究所 国家自然科学基金资助项目（6 276 3）,国家自然科学基金资助项目（6 276 3） |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
边历锋;江德生;陆书龙.快速热退火对GaInNAs/GaAs单量子阱反常温度特性研究,稀有金属,2004,28(3):582-584 |
| Palavras-Chave | #半导体物理 |
| Tipo |
期刊论文 |
