溶胶-凝胶法制备ZnO纳米薄膜的工艺和应用


Autoria(s): 刘超; 李建平; 孙国胜; 曾一平
Data(s)

2004

Resumo

ZnO是一种重要的功能材料和新型的n一Ⅵ族宽禁带半导体材料。采用溶胶一凝胶(sol-gel)工艺在si(100)、si(111)和c面蓝宝石衬底上成功制备出高质量的ZnO纳米薄膜,并用XRD、SEM、AFM等方法研究了薄膜的特性。首次以制备的ZnO纳米薄膜为缓冲层,在n型si(1()o)衬底上采用低压化学气相沉积(LPCVD)工艺外延生长了SiC薄膜,得到了低载流子浓度、高电子迁移率和高空穴迁移率的两种SiC薄膜样品,分析了该薄膜的性能。

ZnO是一种重要的功能材料和新型的n一Ⅵ族宽禁带半导体材料。采用溶胶一凝胶(sol-gel)工艺在si(100)、si(111)和c面蓝宝石衬底上成功制备出高质量的ZnO纳米薄膜,并用XRD、SEM、AFM等方法研究了薄膜的特性。首次以制备的ZnO纳米薄膜为缓冲层,在n型si(1()o)衬底上采用低压化学气相沉积(LPCVD)工艺外延生长了SiC薄膜,得到了低载流子浓度、高电子迁移率和高空穴迁移率的两种SiC薄膜样品,分析了该薄膜的性能。

于2010-11-23批量导入

zhangdi于2010-11-23 13:06:28导入数据到SEMI-IR的IR

Made available in DSpace on 2010-11-23T05:06:28Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4746.pdf: 1131521 bytes, checksum: 5dc36ed3b5497bafe81869446441b8bd (MD5) Previous issue date: 2004

国家自然科学基金资助项目(6 276 45),国家自然科学基金资助项目(6 276 45)

中国科学院半导体研究所材料中心

国家自然科学基金资助项目(6 276 45),国家自然科学基金资助项目(6 276 45)

Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17459

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/103367

Idioma(s)

中文

Fonte

刘超;李建平;孙国胜;曾一平.溶胶-凝胶法制备ZnO纳米薄膜的工艺和应用,发光学报,2004,25(2):123-127

Palavras-Chave #半导体材料
Tipo

期刊论文