Si/Si直接键合界面性质的研究
| Data(s) |
2004
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|---|---|
| Resumo |
通过三步直接键合方法实现了Si/Si键合.采用XPS、FTIR、I-V、拉伸强度等手段对Si/Si键合结构的界面特性作了深入广泛的研究.研究结果表明,高温退火后,在键合界面没有Si-H和Si-OH网络存在,键合界面主要由单质Si和不定形氧化硅SiOx组成.同时,研究还表明,I-V特性和键合强度强烈地依赖于退火温度. 通过三步直接键合方法实现了Si/Si键合.采用XPS、FTIR、I-V、拉伸强度等手段对Si/Si键合结构的界面特性作了深入广泛的研究.研究结果表明,高温退火后,在键合界面没有Si-H和Si-OH网络存在,键合界面主要由单质Si和不定形氧化硅SiOx组成.同时,研究还表明,I-V特性和键合强度强烈地依赖于退火温度. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:06:21导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:06:21Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4721.pdf: 448407 bytes, checksum: 545fc57e13e4491561d49da2ad1aea3a (MD5) Previous issue date: 2004 国家基金,国家重点基金 厦门大学物理系;中科院半导体所 国家基金,国家重点基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
陈松岩;谢生;何国荣.Si/Si直接键合界面性质的研究,固体电子学研究与进展,2004,24(3):390-395 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
