16×0.8nm硅基二氧化硅AWG性能优化


Autoria(s): 安俊明; 李健; 郜定山; 李建光; 王红杰; 胡雄伟
Data(s)

2004

Resumo

对设计的折射率差为0.75%的16×0.8 nm硅基二氧化硅阵列波导光栅(AWG),围绕插损和串扰问题,采用广角有限差分束传播方法(FD-BPM)进行了数值模拟和优化.通过优化在输入波导、阵列波导的喇叭口,得到了插损为1.5 dB、串扰为-48 dB的AWG,优化后的指标已达到商用要求.

国家重点基础研究发展规划资助项目,国家高技术研究发展计划资助项目,国家自然科学基金资助项目

Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17405

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/103340

Idioma(s)

中文

Fonte

安俊明;李健;郜定山;李建光;王红杰;胡雄伟.16×0.8nm硅基二氧化硅AWG性能优化,半导体光电,2004,25(5):345-348

Palavras-Chave #光电子学
Tipo

期刊论文