光子存储单元的光伏效应
| Data(s) |
2004
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|---|---|
| Resumo |
报道了光存储效应在一种特殊设计的光存储单元Ⅰ-Ⅴ特性上的响应.当单元偏置在光存储模式下,越过禁带的光激发会产生一个台阶状的电流阶跃.利用瞬态光电流测试装置测量电流阶跃处的瞬态响应,验证了"开→关"光电流下降沿主要反映了光照消失后原先被存储起来的电子、空穴的衰变过程.其时间常数是光存储时间的一种度量,而光照下所出现的台阶状电流阶跃则是光子存储效应在Ⅰ-Ⅴ特性的反映. 报道了光存储效应在一种特殊设计的光存储单元Ⅰ-Ⅴ特性上的响应.当单元偏置在光存储模式下,越过禁带的光激发会产生一个台阶状的电流阶跃.利用瞬态光电流测试装置测量电流阶跃处的瞬态响应,验证了"开→关"光电流下降沿主要反映了光照消失后原先被存储起来的电子、空穴的衰变过程.其时间常数是光存储时间的一种度量,而光照下所出现的台阶状电流阶跃则是光子存储效应在Ⅰ-Ⅴ特性的反映. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:06:13导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:06:13Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4715.pdf: 281699 bytes, checksum: 31b52ecfe02f68187c93e7fc7fa650da (MD5) Previous issue date: 2004 国家重点基础研究计划,国家高技术发展研究计划资助项目 中国科学院半导体研究所 国家重点基础研究计划,国家高技术发展研究计划资助项目 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
卞松保;李桂荣;唐艳;胡冰;李月霞;杨富华;郑厚植.光子存储单元的光伏效应,红外与毫米波学报,2004,23(3):205-207 |
| Palavras-Chave | #半导体物理 |
| Tipo |
期刊论文 |
