超薄有源层谐振腔增强型调制器
| Data(s) |
2004
|
|---|---|
| Resumo |
提出利用超薄有源层制备高性能谐振腔增强型(RCE)半导体电吸收调制器件的可能性,并与波导型器件进行性能对比;对透射和反射两种类型器件优化分析了器件结构,进行了性能比较,结果表明:在插入损耗相当的情况下,反射式器件具有更高的调制对比度. 提出利用超薄有源层制备高性能谐振腔增强型(RCE)半导体电吸收调制器件的可能性,并与波导型器件进行性能对比;对透射和反射两种类型器件优化分析了器件结构,进行了性能比较,结果表明:在插入损耗相当的情况下,反射式器件具有更高的调制对比度. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:06:11导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:06:11Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4711.pdf: 138566 bytes, checksum: 2118465955955216c46ad6d7ae67089f (MD5) Previous issue date: 2004 国家自然基金,国家"973计划" 中国科学院半导体研究所 国家自然基金,国家"973计划" |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
杨晓红;梁琨;韩勤;牛智川;杜云;吴荣汉.超薄有源层谐振腔增强型调制器,光子学报,2004,33(10):1196-1199 |
| Palavras-Chave | #半导体物理 |
| Tipo |
期刊论文 |
