磁场调制下的双电子量子点qubit


Autoria(s): 陈早生; 孙连亮; 李树深
Data(s)

2004

Resumo

研究了磁场中二维有限深抛物形量子点中双电子在总自旋分别为S=0或S=1时的电子态,在有效质量近似下,利用精确的对角化方法计算了系统的能级结构.发现系统的基态总自旋S可以通过改变磁场的大小进行调制,由此可以设计利用S=0和S=1两个自旋态组成一个量子比特.

国家重点基础研究专项经费,国家自然科学基金

Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17387

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/103331

Idioma(s)

中文

Fonte

陈早生;孙连亮;李树深.磁场调制下的双电子量子点qubit,半导体学报,2004,25(7):790-793

Palavras-Chave #半导体物理
Tipo

期刊论文