具有复合埋层的新型SIMON材料的制备


Autoria(s): 易万兵; 陈猛; 张恩霞; 刘相华; 陈静; 董业民; 金波; 刘忠立; 王曦
Data(s)

2004

Resumo

采用氮氧共注入方法制备了新型的SIMON(separation by implanted oxygen and nitrogen)SOI材料.采用不同的制备方法分别制作出样品并进行了结构测试和分析,发现SIMON材料的结构和质量对注入条件和退火工艺非常敏感.并对各种氮氧复合注入技术做了分析和比较,发现氮氧分次注入可以得到更好的结构和性能.

国家杰出青年基金资助项目

Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17385

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/103330

Idioma(s)

中文

Fonte

易万兵;陈猛;张恩霞;刘相华;陈静;董业民;金波;刘忠立;王曦.具有复合埋层的新型SIMON材料的制备,半导体学报,2004,25(7):814-818

Palavras-Chave #微电子学
Tipo

期刊论文