双异质外延Si/Al_2O_3/Si薄膜制作的CMOS器件
| Data(s) |
2004
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| Resumo |
报道了利用高真空MOCVD外延生长γ氧化铝的技术和利用SOS CMOS的成熟工艺制作双异质外延Si/γ-Al2O3/Si单晶薄膜以及用其研制Si/γ-Al2O3/Si CMOS场效应晶体管、Si/γ-Al2O3/Si CMOS集成电路的初步结果. 报道了利用高真空MOCVD外延生长γ氧化铝的技术和利用SOS CMOS的成熟工艺制作双异质外延Si/γ-Al2O3/Si单晶薄膜以及用其研制Si/γ-Al2O3/Si CMOS场效应晶体管、Si/γ-Al2O3/Si CMOS集成电路的初步结果. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:06:08导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:06:09Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4708.pdf: 420626 bytes, checksum: b2bcbff29b30b60d55ecc9e4f886cef9 (MD5) Previous issue date: 2004 中国科学院半导体研究所 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
昝育德;王俊;李瑞云;韩秀峰;王建华;于芳;刘忠立;王玉田;王占国;林兰英.双异质外延Si/Al_2O_3/Si薄膜制作的CMOS器件,半导体学报,2004,25(7):824-830 |
| Palavras-Chave | #微电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
