SiON对Si基SiO_2 AWG偏振补偿的数值分析
| Data(s) |
2004
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| Resumo |
采用全矢量交替方向隐含迭代方法系统分析了高折射率SiON薄膜对Si基SiO2阵列波导光栅中波导应力双折射的影响.分析结果表明在芯区上或下表面沉积SiON薄膜可以明显减小Si基SiO2阵列波导光栅(AWG)中波导的应力双折射,但这两种补偿方法容易使模场偏移中心位置,不利于波导与光纤的耦合.理想的补偿方法是在芯区上下同时补偿,可减小模场偏移,并用该方法设计了偏振无关的16通道AWG. 采用全矢量交替方向隐含迭代方法系统分析了高折射率SiON薄膜对Si基SiO2阵列波导光栅中波导应力双折射的影响.分析结果表明在芯区上或下表面沉积SiON薄膜可以明显减小Si基SiO2阵列波导光栅(AWG)中波导的应力双折射,但这两种补偿方法容易使模场偏移中心位置,不利于波导与光纤的耦合.理想的补偿方法是在芯区上下同时补偿,可减小模场偏移,并用该方法设计了偏振无关的16通道AWG. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:06:08导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:06:08Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4707.pdf: 298603 bytes, checksum: f713e784d2178d42552d1d5915a15029 (MD5) Previous issue date: 2004 国家重点基础研究发展规划,国家自然科学基金 中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心 国家重点基础研究发展规划,国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
安俊明;郜定山;李健;李建光;王红杰;胡雄伟.SiON对Si基SiO_2 AWG偏振补偿的数值分析,半导体学报,2004,25(7):858-862 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
