高铝AlxGa1-xAs氧化层对垂直腔面发射激光器的影响
| Data(s) |
2004
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|---|---|
| Resumo |
针对可见光垂直腔面发射激光器的制备,通过湿氮氧化实验和测量微区光致发光谱分别研究了高铝组分AlxGa1-xAs的氧化特性及氧化产物的收缩应力对有源区的影响,结合器件结构设计确定了氧化限制层AlxGa1-x-As的铝组分和最佳位置,并制备出了低阈值电流的AlGaInP系垂直腔面发射激光器. |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
康香宁;宋国峰;叶晓军;侯识华;陈良惠.高铝AlxGa1-xAs氧化层对垂直腔面发射激光器的影响,半导体学报,2004,25(5):589-593 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
