低能离子束方法制备重掺杂Fe的Si:Fe固溶体
| Data(s) |
2004
|
|---|---|
| Resumo |
利用质量分离的低能离子束方法,以离子能量为1000eV,剂量为3×1017cm-2,室温下往p型Si(111)单晶衬底注入Fe离子,注入的样品在400 C真空下进行热处理.俄歇电子能谱法(AES)对原位注入样品深度分析表明Fe离子浅注入到p型Si单晶衬底,注入深度约为42nm.X射线衍射法(XRD)对热处理样品结构分析发现只有Si衬底的衍射峰,没有其他新相.X射线光电子能谱法(XPS)对热处理样品表面分析发现Fe2p束缚能对应于单质Fe的峰,没有形成Fe的硅化物.这些结果表明重掺杂Fe的Si:Fe固溶体被制备.电化学C-V法测量了热处理后样品载流子浓度随深度的分布,发现Fe重掺杂Si致使Si的导电类型从p型转为n型,Si:Fe固溶体和Si衬底形成pn结,具有整流特性. 利用质量分离的低能离子束方法,以离子能量为1000eV,剂量为3×1017cm-2,室温下往p型Si(111)单晶衬底注入Fe离子,注入的样品在400 C真空下进行热处理.俄歇电子能谱法(AES)对原位注入样品深度分析表明Fe离子浅注入到p型Si单晶衬底,注入深度约为42nm.X射线衍射法(XRD)对热处理样品结构分析发现只有Si衬底的衍射峰,没有其他新相.X射线光电子能谱法(XPS)对热处理样品表面分析发现Fe2p束缚能对应于单质Fe的峰,没有形成Fe的硅化物.这些结果表明重掺杂Fe的Si:Fe固溶体被制备.电化学C-V法测量了热处理后样品载流子浓度随深度的分布,发现Fe重掺杂Si致使Si的导电类型从p型转为n型,Si:Fe固溶体和Si衬底形成pn结,具有整流特性. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:05:59导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:05:59Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4690.pdf: 318844 bytes, checksum: 8a8f325a03f703ece9e7c741b7733d48 (MD5) Previous issue date: 2004 国家自然科学基金,国家重大基础研究发展规划项目 中国科学院半导体研究所 国家自然科学基金,国家重大基础研究发展规划项目 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
陈力锋;陈诺夫;张富强;陈晨龙;李艳丽;杨少延;刘志凯.低能离子束方法制备重掺杂Fe的Si:Fe固溶体,半导体学报,2004,25(8):967-971 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
