离子束淀积方法制备GdSi_2薄膜
| Data(s) |
2004
|
|---|---|
| Resumo |
采用离子束淀积方法制备了单相GdSi2薄膜.用俄歇电子谱仪对样品的成分进行了分析,用X射线衍射方法分析了样品的结构,并用扫描电子显微镜观察了样品的表面形貌.X射线衍射分析发现在400℃沉积的样品中仅存在正交的GdSiz相.样品在氩气氛中350C,30min退火处理后,GdSi2相衍射峰的半高宽变窄,说明经过退火处理,GdSi2的晶体质量变得更好. 国家自然科学基金,国家重大基础研究发展规划 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
李艳丽;陈诺夫;周剑平;宋书林;杨少延;刘志凯.离子束淀积方法制备GdSi_2薄膜,半导体学报,2004,25(8):972-975 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
