宽带半导体可饱和吸收镜研制方法及选择腐蚀研究
| Data(s) |
2004
|
|---|---|
| Resumo |
介绍了用于固体激光器被动锁模自启动实现飞秒级脉冲输出的两种波长的带半导体可饱和吸收镜(800nm和1550 nm SESAMs)的研制方法和应用.制作宽带反射层的关键技术之一是AlGaAs/GaAs和InP/InGaAs/InGaAs的选择腐蚀.分别就几种湿法腐蚀和干法腐蚀进行了详细的分析和比较. 介绍了用于固体激光器被动锁模自启动实现飞秒级脉冲输出的两种波长的带半导体可饱和吸收镜(800nm和1550 nm SESAMs)的研制方法和应用.制作宽带反射层的关键技术之一是AlGaAs/GaAs和InP/InGaAs/InGaAs的选择腐蚀.分别就几种湿法腐蚀和干法腐蚀进行了详细的分析和比较. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:05:57导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:05:58Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4686.pdf: 117619 bytes, checksum: 100037eaf86a2f0765ce7e195b97943f (MD5) Previous issue date: 2004 中科院半导体研究所 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
王勇刚;马骁宇;吕卉;王丽明;刘媛媛.宽带半导体可饱和吸收镜研制方法及选择腐蚀研究,半导体技术,2004,29(7):74-75 |
| Palavras-Chave | #半导体器件 |
| Tipo |
期刊论文 |
