厚表层Si柔性绝缘衬底上SiC薄膜的外延生长
| Data(s) |
2004
|
|---|---|
| Resumo |
利用LPCVD方法,在厚表层Si(SOL≈0.5μm)柔性绝缘衬底(SOI)(001)上外延生长出了可与硅衬底上外延晶体质量相比拟的SiC/SOI,表明SOI是一种很有潜力的柔性衬底. Raman 光谱结果表明SiC/SOI外延层比SiC/Si外延层有更大的残存应力,对此从理论上进行了解释.利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、扫描电镜(SEM)和喇曼散射光谱(RAM)技术研究了外延材料的晶体结构、界面性质和应变情况. 国家高技术研究发展计划 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
王晓峰;王雷;赵万顺;孙国胜;黄风义;曾一平.厚表层Si柔性绝缘衬底上SiC薄膜的外延生长,半导体学报,2004,25(12):1652-1657 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
