低能离子束沉积制备GaAs:Gd的研究
| Data(s) |
2004
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| Resumo |
对室温条件下用低能离子束沉积得到的GaAs∶Gd样品,借助X射线衍射(XRD)和高分辨X射线衍射(HR-XRD)进行了结构分析,结果表明没有出现新的衍射峰,并且摇摆曲线的形状与Gd的注入计量密切相关.运用X光电子能谱仪对比分析了Gd注入后,衬底中主要元素Ga2p和As3d的化学位移,以及不同计量的样品中注入的Gd4d芯能级束缚能的变化,并分析了铁磁性产生的可能原因. 对室温条件下用低能离子束沉积得到的GaAs∶Gd样品,借助X射线衍射(XRD)和高分辨X射线衍射(HR-XRD)进行了结构分析,结果表明没有出现新的衍射峰,并且摇摆曲线的形状与Gd的注入计量密切相关.运用X光电子能谱仪对比分析了Gd注入后,衬底中主要元素Ga2p和As3d的化学位移,以及不同计量的样品中注入的Gd4d芯能级束缚能的变化,并分析了铁磁性产生的可能原因. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:05:51导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:05:51Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4674.pdf: 304236 bytes, checksum: b134627c7d33cc91fc5c0137c38f2528 (MD5) Previous issue date: 2004 国家自然科学基金,国家重大基础研究计划 中国科学院半导体研究所 国家自然科学基金,国家重大基础研究计划 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
宋书林;陈诺夫;周剑平;尹志岗;李艳丽;杨少延;刘志凯.低能离子束沉积制备GaAs:Gd的研究,半导体学报,2004,25(12):1658-1661 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
