火焰水解法制备硅基二氧化硅材料的析晶研究


Autoria(s): 郜定山; 李建光; 安俊明; 李健; 夏君磊; 王红杰; 胡雄伟
Data(s)

2004

Resumo

用火焰水解法在硅基片上制备了掺杂GeO2和B2O2的SiO2光波导材料.用X射线物相衍射法(XRD)分析了掺杂和烧结工艺对材料的析晶现象的影响.结果表明,当烧结时采取自然降温,GeO2-SiO2材料由于严重析晶而完全碎裂;而当烧结后期采取快速降温,析晶过程受到很大抑制,但仍有析晶.在此GeO2-SiO2材料中掺入适量的B2O3后,得到了完全非晶态的GeO2-B2O3-SiO2材料,但B2O3掺入量过多时,又会导致析晶.

用火焰水解法在硅基片上制备了掺杂GeO2和B2O2的SiO2光波导材料.用X射线物相衍射法(XRD)分析了掺杂和烧结工艺对材料的析晶现象的影响.结果表明,当烧结时采取自然降温,GeO2-SiO2材料由于严重析晶而完全碎裂;而当烧结后期采取快速降温,析晶过程受到很大抑制,但仍有析晶.在此GeO2-SiO2材料中掺入适量的B2O3后,得到了完全非晶态的GeO2-B2O3-SiO2材料,但B2O3掺入量过多时,又会导致析晶.

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国家重点基础研究发展规划资助项目,国家高技术研究发展计划资助项目,国家自然科学基金资助项目

中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心

国家重点基础研究发展规划资助项目,国家高技术研究发展计划资助项目,国家自然科学基金资助项目

Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17309

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/103292

Idioma(s)

中文

Fonte

郜定山;李建光;安俊明;李健;夏君磊;王红杰;胡雄伟.火焰水解法制备硅基二氧化硅材料的析晶研究,半导体光电,2004,25(6):496-498

Palavras-Chave #光电子学
Tipo

期刊论文