影响半导体量子点生长因素的分析


Autoria(s): 杨红波; 俞重远; 刘玉敏; 黄永箴
Data(s)

2004

Resumo

生长高面密度和尺寸均匀的量子点是半导体量子点实用化的关键.本文在已有研究工作的基础上,从材料本身的特性和生长量子点时的外界条件两方面总结了影响量子点生长的各种因素,从原理上分析了控制量子点有序生长的可能性的几种方法.

国家863项目,国家973项目,中国科学院半导体所集成光电子学国家重点联合实验室开放课题

Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17305

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/103290

Idioma(s)

中文

Fonte

杨红波;俞重远;刘玉敏;黄永箴.影响半导体量子点生长因素的分析,人工晶体学报,2004,33(6):1018-1021

Palavras-Chave #光电子学
Tipo

期刊论文