SOI热光调制器
| Data(s) |
2004
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|---|---|
| Resumo |
设计和制作了多模干涉马赫曾德型热光调制器.通过合理选择SOI光波导的埋层和包层的厚度,使制作出的调制器有良好的综合性能.调制器调制深度为91%,功耗为0.35W,调制速度约为27μs.减小多模干涉耦合器的设计误差和提高刻蚀均匀性可以改善调制器的性能. 国家自然科学基金,国家高技术研究发展计划,国家重点基础研究发展计划 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
王章涛;樊中朝;夏金松;陈少武;余金中.SOI热光调制器,半导体学报,2004,25(10):1315-1318 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
