SOI热光开关调制区结构与速度和功耗关系的有限元法分析
| Data(s) |
2004
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|---|---|
| Resumo |
利用有限元法分析了调制区内二维温度场的静态和动态分布.结果表明,上包层SiO2厚度的减小,有利于开关速度的提高和功耗的减小.增加埋层SiO2的厚度或引入绝缘槽,能有效降低器件功耗,但开关时间随之增加.电极的尺寸对开关性能影响较小.如果采用全体硅材料制作光开关,开关速度能达到5μs,但功耗将增至0.92W. 国家高技术研究发展计划,国家重点基础研究发展规划 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
刘敬伟;王小龙;陈少武;余金中.SOI热光开关调制区结构与速度和功耗关系的有限元法分析,半导体学报,2004,25(10):1324-1330 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
