ICP刻蚀参数对SOI脊形波导侧壁粗糙度的影响
| Data(s) |
2004
|
|---|---|
| Resumo |
研究了以C4F8/SF6/O2为刻蚀气体,利用ICP刻蚀技术制作SOI脊形光波导过程中,刻蚀参数与侧壁粗糙度的关系.实验结果表明偏压、气体比例、压强是影响侧壁粗糙度的关键参数,在低偏压、低C4F8/SF6比和较高压强下更容易获得低粗糙度的侧壁.通过优化刻蚀参数,获得了侧壁粗糙度和传输损耗相对较低的SOI脊形波导. 研究了以C4F8/SF6/O2为刻蚀气体,利用ICP刻蚀技术制作SOI脊形光波导过程中,刻蚀参数与侧壁粗糙度的关系.实验结果表明偏压、气体比例、压强是影响侧壁粗糙度的关键参数,在低偏压、低C4F8/SF6比和较高压强下更容易获得低粗糙度的侧壁.通过优化刻蚀参数,获得了侧壁粗糙度和传输损耗相对较低的SOI脊形波导. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:05:44导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:05:44Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4656.pdf: 323678 bytes, checksum: a918fef95417955b4812de9ebb88781d (MD5) Previous issue date: 2004 国家自然科学基金,国家重点基础研究发展规划,国家高技术研究发展计划 中国科学院半导体研究所 国家自然科学基金,国家重点基础研究发展规划,国家高技术研究发展计划 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
樊中朝;余金中;陈少武;杨笛;严清峰;王良臣.ICP刻蚀参数对SOI脊形波导侧壁粗糙度的影响,半导体学报,2004,25(11):1500-1504 |
| Palavras-Chave | #微电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
